我國首批32層三維NAND閃存芯片年內將量產(chǎn)

2018-04-16 來源：評論：0

摘要：位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺１１日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將于年內量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領域空白。

　　位于武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項目芯片生產(chǎn)機臺１１日正式進場安裝，這標志著國家存儲器基地從廠房建設階段進入量產(chǎn)準備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權的３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片將于年內量產(chǎn)，從而填補我國主流存儲器領域空白。

　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進口，國家存儲器基地于２０１７年成功研發(fā)我國首顆３２層三維ＮＡＮＤ閃存芯片。這顆耗資１０億美元、由１０００人的團隊歷時２年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進入全球存儲芯片第一梯隊，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

　　據(jù)介紹，國家存儲器基地項目２０１６年由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資２４０億美元，項目一期總產(chǎn)能將達到３０萬片／月，年產(chǎn)值將超過１００億美元。

　　紫光集團董事長趙偉國表示，今年１０月設備將點亮投產(chǎn)，預計２０１９年底６４層閃存產(chǎn)品將實現(xiàn)爬坡量產(chǎn)。未來十年，紫光集團計劃至少還將投資１０００億美元，相當于平均每年投入１００億美元，進一步拉近我國在高端芯片領域與先進國家的距離。